Samsung tiene listo su nodo de fabricación a 5 nm FinFET

Mientras que Intel todavía está intentando superar el obstáculo de los 10nm, Samsung y otras empresas están mirando hacia 5nm, 6nm e incluso 3nm. Si bien en la actualidad aún los 7nm EUV casi no se ven, Samsung ya está listo para el próximo paso, habiendo completado el desarrollo del proceso de 5nm EUV mientras la migración hacia transistores cada vez más pequeños continúa sin cesar.

Este anuncio por parte de Samsung es una gran noticia debido a que indica que están preparados para competir frente a los 5nm EUV que tendrá TSMC en 2020. Este nodo EUV de 5 nm de Samsung se espera que se use para crear chips 5G, de inteligencia artificial, computación de alto rendimiento y automotriz.

Tenemos que mencionar que el proceso de 7nm 7LPP de Samsung ha estado en producción en serie desde octubre de 2018, y ahora la compañía espera con interés 5nm y más. Para ese fin, el conglomerado de memoria ha anunciado la finalización de su proceso FinFET de 5nm que aprovecha la tecnología EUV.

Comparación de consumo/rendimiento entre los 7 y 5 nm

En comparación con su proceso de 7 nm, Samsung mencionó que el proceso ofrece un 25% más de área lógica con un consumo 20% menor o un rendimiento 10% mayor realizando el mismo consumo que chips producidos a 7nm EUV. Otra gran noticia es que todos los diseños realizados para los 7nm pueden reutilizarse, esto permite hacer una migración de los 7nm a los 5nm debido a poder reutilizar gran parte de la propiedad intelectual desarrollada para los 7nm.

Producción en masa para principios del 2020

Para la producción del nuevo nodo de 5 nm EUV, Samsung tiene previsto abrir una nueva línea de fabricación, esta se encargaría de la producción exclusiva de componentes electrónicos diseñados para ser fabricados en el nuevo nodo. Esta nueva línea debería de estas completada a partir de la mitad de este año 2019, para comenzar la producción en masa a comienzos del año que viene.

Fuente: Samsung